H26M64103EMR 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片具有64Mbit的存储容量,采用高速CMOS工艺制造,适用于需要较高数据处理速度的电子设备。H26M64103EMR通常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及其他需要大容量内存的应用场景。
存储容量:64 Mbit
组织方式:x16
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:TSOP
引脚数量:54
数据速率:166 MHz
H26M64103EMR 是一款高性能的DRAM芯片,具备高速访问时间和宽工作电压范围,适用于各种工业和通信应用。该芯片采用了先进的CMOS工艺,确保了低功耗和高稳定性。其高速访问时间为5.4ns,数据速率可达166 MHz,能够在高频率下稳定运行,适合需要快速数据处理的场景。
H26M64103EMR 的存储容量为64 Mbit,组织方式为x16,这意味着它可以同时处理16位数据,提高了数据传输效率。其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在不同电源条件下稳定工作,增强了系统的兼容性和可靠性。
该芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具有54个引脚,适用于表面贴装技术(SMT),便于在PCB上安装和焊接。TSOP封装还提供了良好的热性能和电气性能,有助于提高系统的整体稳定性。
H26M64103EMR 的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,能够在恶劣的环境条件下正常运行,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等广泛的应用领域。
H26M64103EMR 主要应用于嵌入式系统、网络设备、工业控制系统、通信设备、消费类电子产品以及需要高速内存的电子设备中。由于其高速访问时间和宽工作电压范围,它特别适合用于需要快速数据处理和存储的应用场景。
IS61LV6416-10T, CY7C1061AV33, IDT71V64161