H26M64103EMR 时间：2025/9/2 11:19:46 阅读：24

H26M64103EMR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片具有64Mbit的存储容量，采用高速CMOS工艺制造，适用于需要较高数据处理速度的电子设备。H26M64103EMR通常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及其他需要大容量内存的应用场景。

参数

存储容量：64 Mbit
　　组织方式：x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　数据速率：166 MHz

特性

H26M64103EMR 是一款高性能的DRAM芯片，具备高速访问时间和宽工作电压范围，适用于各种工业和通信应用。该芯片采用了先进的CMOS工艺，确保了低功耗和高稳定性。其高速访问时间为5.4ns，数据速率可达166 MHz，能够在高频率下稳定运行，适合需要快速数据处理的场景。
　　H26M64103EMR 的存储容量为64 Mbit，组织方式为x16，这意味着它可以同时处理16位数据，提高了数据传输效率。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在不同电源条件下稳定工作，增强了系统的兼容性和可靠性。
　　该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有54个引脚，适用于表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和焊接。TSOP封装还提供了良好的热性能和电气性能，有助于提高系统的整体稳定性。
　　H26M64103EMR 的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在恶劣的环境条件下正常运行，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等广泛的应用领域。