时间：2025/7/14 17:40:04
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MA0201CG4R3D250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率、低损耗的开关应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。
该器件采用了 D2PAK 封装形式，能够提供卓越的散热性能，从而保证在高电流负载下的稳定运行。
型号：MA0201CG4R3D250
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：250A
导通电阻（典型值）：4.3mΩ
栅极电荷：58nC
总栅极电荷：75nC
输入电容：2950pF
反向恢复时间：35ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MA0201CG4R3D250 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（4.3mΩ），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流（250A），适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 采用 D2PAK 封装，具备良好的散热性能。
5. 耐热性能优越，工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C）。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，主要应用包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
4. 太阳能逆变器中的功率级开关。
5. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统（BMS）。
6. 工业自动化控制中的功率转换模块。
MA0201CG4R3D200, IRFP2907ZPBF
