APT94N65B2C3G是一款由Microchip Technology(原Atmel)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高电压、高电流N沟道MOSFET器件。该器件广泛应用于功率转换、电源管理、电机控制和工业自动化等领域。其高效率、低导通电阻和高可靠性使其成为电源系统设计中的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):94A
导通电阻(Rds(on)):最大23mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
功率耗散(Ptot):300W
APT94N65B2C3G具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(Rds(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。该器件的高漏源电压(650V)和大电流承载能力(94A)使其适用于高压高功率应用场景,如开关电源(SMPS)、电机驱动器和功率因数校正(PFC)电路。
此外,该MOSFET采用了先进的硅技术,确保了良好的热稳定性和耐用性。其TO-247封装形式有助于提高散热性能,支持长时间高负载运行。APT94N65B2C3G还具备快速开关特性,减少开关损耗,提升动态响应能力。
在可靠性方面,该器件具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,便于集成到各类控制电路中。同时,该器件的高抗干扰能力和稳定的电气参数也使其适用于严苛的工业环境。
APT94N65B2C3G适用于多种高功率和高电压电子系统设计。其主要应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机控制与驱动器、光伏逆变器、功率因数校正(PFC)模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。此外,该器件也可用于电动汽车充电系统、储能系统和智能电网相关设备中的功率转换与管理模块。
在家电领域,APT94N65B2C3G可用于变频空调、高效能洗衣机和高端电磁炉等产品的功率控制电路中。由于其具备高效率和高可靠性,该器件也被广泛应用于LED照明驱动、电池管理系统(BMS)以及各种类型的DC-DC转换器中。
IXFH96N65X2、IRFP4868PbF、STF94N65M2、SiHP094N65EF