类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：60V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：150mA
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.5Ω @ Vgs=10V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

2SK880-BL具备多项优异的电气性能和结构设计特点，适合多种高频和低功耗应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性可有效降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)典型值为3.5Ω，这对于小型MOSFET来说具有良好的导电性能。
　　其次，2SK880-BL的开关速度快，栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频应用中表现优异，能够减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。此外，该器件的热稳定性良好，结合其低功耗特性，可以在较宽的温度范围内稳定运行。
　　再者，该MOSFET采用TO-92封装，体积小巧，便于在PCB上布局，同时具备良好的散热性能。这种封装形式也使得2SK880-BL适用于自动化装配工艺，提高了生产效率和产品一致性。
　　最后，2SK880-BL具有较高的耐压能力，最大漏极电压可达60V，适合用于中低压电源转换和控制电路。其±20V的栅极电压耐受能力也增强了器件在不同驱动条件下的适应性和可靠性。

2SK880-BL广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适用于需要高效、高频开关性能的场合。例如，在DC-DC升压或降压转换器中，2SK880-BL可用作主开关器件，实现能量的高效转换。在低功率开关电源中，该MOSFET可用于主控开关或同步整流电路，提升整体电源效率。
　　此外，2SK880-BL也可用于电机驱动电路、LED驱动器、电池管理系统（BMS）以及各类控制电路中的负载开关。其高速开关能力和低导通电阻使其在需要快速响应和低功耗设计的物联网设备、手持式电子设备和嵌入式系统中具有广泛应用前景。
　　在自动化控制系统中，如工业控制模块、传感器接口电路和小型继电器替代方案中，2SK880-BL也能提供稳定可靠的开关控制功能。

2SK170-BL, 2SK30AT, 2N7000, BS170