型号：APT55M85B2FLL
　　类型：IGBT模块（半桥）
　　集电极-发射极电压VCEO：850V
　　集电极电流IC（连续）：55A
　　集电极电流ICM（峰值）：110A
　　栅极-发射极电压VGES：±20V
　　饱和导通电压VCE(sat)@IC=55A：约2.0V（典型值）
　　开关时间-开通延迟td(on)：约120ns
　　上升时间tr：约80ns
　　关断延迟td(off)：约350ns
　　下降时间tf：约60ns
　　工作结温Tj：-40°C至+150°C
　　存储温度Tstg：-40°C至+150°C
　　隔离电压：2500Vrms/min
　　安装方式：螺钉固定
　　封装形式：SOT-227B（Mini-DIP）

APT55M85B2FLL的核心特性在于其采用了先进的场截止沟槽栅IGBT技术，这种结构显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，同时提高了载流能力和热效率。其正向导通压降VCE(sat)在额定电流下保持在较低水平，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。该器件具有优异的开关速度，能够在高达20kHz以上的频率下高效运行，适用于高频逆变和PWM控制场景。其内部结构经过优化，具备较强的短路承受能力，通常可支持至少10μs的短路耐受时间，增强了系统在异常工况下的安全性和鲁棒性。
　　此外，APT55M85B2FLL集成了快速恢复反并联二极管，该二极管具有低反向恢复电荷Qrr和软恢复特性，有效减少了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而降低对外围缓冲电路的要求。模块的热阻特性良好，结到外壳的热阻Rth(j-c)较低，配合适当的散热器可实现长时间稳定运行。该器件还具备良好的dv/dt和di/dt耐受能力，在快速开关过程中不易发生误触发或局部过热现象。
　　在可靠性方面，APT55M85B2FLL通过了严格的工业级认证，符合RoHS和REACH环保标准，适用于严苛的工作环境。其封装采用高绝缘强度陶瓷基板和铝线键合工艺，确保长期使用的机械稳定性和电气可靠性。此外，该模块支持并联使用，便于构建更高功率等级的系统。总体而言，APT55M85B2FLL以其高效率、高可靠性和优良的动态性能，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。

APT55M85B2FLL广泛应用于各类中高功率电力电子变换系统中。在工业电机驱动领域，它被用于三相逆变器中实现交流电机的精确调速与控制，尤其适用于泵、风机、传送带等设备的变频驱动。在可再生能源系统中，该IGBT模块常用于光伏并网逆变器的主功率拓扑，承担DC-AC转换任务，其高效开关特性有助于提升太阳能发电系统的整体转换效率。此外，在不间断电源（UPS）系统中，APT55M85B2FLL可用于双变换在线式UPS的逆变级，确保市电中断时负载仍能获得稳定纯净的交流电能。
　　该器件也适用于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置，其高频开关能力能够满足谐振变换器的需求，实现高效的能量传输与温度控制。在电焊机电源中，APT55M85B2FLL可用于构建全桥或半桥ZVS/PWM拓扑，提供稳定的输出电流和快速的动态响应。此外，它还可用于电动汽车充电站的AC-DC或DC-DC转换模块、储能系统中的双向变流器以及特种电源等领域。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，APT55M85B2FLL特别适合部署在电网波动较大或环境温度较高的工业现场。无论是作为主开关器件还是辅助功率单元，该IGBT模块都能为系统提供可靠的性能保障。

IXYS IXGN55N85A2FB
　　Infineon FF50R08KS4
　　ON Semiconductor FGA60N85B2