APT10M25SVR 时间：2025/8/28 20:38:05 阅读：12

APT10M25SVR 是一款由 Microchip Technology 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于其 Advanced Process Technology 系列。该器件设计用于高效率的功率管理应用，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性。APT10M25SVR 采用先进的沟槽工艺技术，能够在较高的频率下工作，适用于电源转换、电池管理系统、负载开关等多种场景。

参数

类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-25V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-10A
　　导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ @ VGS = -4.5V
　　输入电容（Ciss）：550pF @ VDS = 0V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-261AA（SOT-223）

特性

APT10M25SVR MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高性能功率管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件在 -4.5V 的栅极驱动电压下即可实现低 RDS(ON)，适合与常见的逻辑电平驱动电路配合使用。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，优化了电流传导路径，提高了热稳定性和电流承载能力。
　　APT10M25SVR 还具备良好的热性能，其 SOT-223 封装形式具有较好的散热能力，能够在较高负载条件下稳定运行。该器件的输入电容较小，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在恶劣的环境条件下正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，能够承受瞬态过压和过流情况，提高了系统的可靠性和鲁棒性。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力，降低了在装配和操作过程中因静电放电（ESD）导致损坏的风险。

应用

APT10M25SVR MOSFET 广泛应用于多种功率管理场景。在电源管理模块中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。由于其低导通电阻和高频率响应能力，非常适合用于高效能的便携式设备和电源适配器中。
　　在工业自动化系统中，APT10M25SVR 可用于电机驱动、继电器替代和电源隔离控制电路。其高热稳定性和耐压能力使其在高温和高湿度环境下仍能保持稳定运行，适用于恶劣的工业环境。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）、车身控制模块以及电池管理系统等应用。其宽工作温度范围和高可靠性符合汽车电子对元器件的严格要求。