APT10M07JVFR 时间：2025/7/26 5:46:19 阅读：18

APT10M07JVFR是一款由Microchip Technology生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效能、高频率的电源转换应用设计，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块以及电机控制等场景。APT10M07JVFR采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：75V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.015Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

APT10M07JVFR具备多项优异特性，使其在高功率密度和高效能设计中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效。这在高电流应用中尤为重要，因为它可以减少发热并提升系统的可靠性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，增强了器件的载流能力并优化了热管理性能。这种设计有助于在高负载条件下保持稳定的工作状态，防止过热导致的性能下降。
　　此外，APT10M07JVFR具有较高的栅极阈值电压（VGS(th)），通常在2V至4V之间，这有助于防止意外导通并提高抗干扰能力。
　　其封装形式为TO-252（DPAK），提供了良好的热传导性能，便于与散热器配合使用，同时也适合表面贴装工艺（SMT），方便在现代电路板设计中集成。
　　最后，该器件支持高频开关操作，适用于需要快速开关的电源转换应用，如开关电源（SMPS）和负载开关。

应用

APT10M07JVFR广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用场景包括但不限于：
　　? DC-DC转换器：在升压或降压转换器中作为主开关器件，实现高效的能量转换。
　　? 电源管理系统：用于电池供电设备中的功率调节和节能控制。
　　? 电机驱动电路：作为H桥中的功率开关，控制电机的转向和速度。
　　? 负载开关：用于控制高电流负载的接通与断开，如LED照明、加热元件等。
　　? 逆变器和UPS系统：用于将直流电转换为交流电的功率转换环节。
　　由于其高耐压和大电流能力，APT10M07JVFR也适用于工业自动化设备、通信电源模块、汽车电子系统等领域。