时间：2025/6/12 15:56:40
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TMK105SD681JV-F 是一款高性能的功率 MOSFET，属于沟槽型 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于各种高效能功率转换场合。
其封装形式为 TO-247-3，能够提供卓越的散热能力和电气稳定性，适合在高电流和高电压环境下工作。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：120nC
开关速度：100kHz
封装形式：TO-247-3
TMK105SD681JV-F 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定漏源电压 (Vds)，确保能够在高压应用中稳定运行。
3. 具备快速开关能力，适合高频功率转换场景。
4. 封装设计优化了散热性能，支持高功率密度应用。
5. 良好的抗雪崩能力和过流保护功能，提高了产品的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该芯片适用于多种电力电子领域，具体包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率级管理。
3. 电动车辆驱动系统的电机控制器。
4. 工业自动化设备中的大功率开关。
5. 不间断电源 (UPS) 系统以及储能装置。
6. LED 驱动器和负载切换电路。
TMK105SD680JW-F, IRFP260N, STP105N06LL
