APS02N60H 时间：2025/12/24 17:54:03 阅读：17

APS02N60H是一款由Advanced Power Technology（简称APT）推出的高电压、高频率N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及照明设备等高性能功率电子系统中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有优异的导通电阻（Rds(on)）性能和出色的热稳定性。其600V的漏源击穿电压使其能够胜任高压环境下的工作需求，适用于需要高可靠性和高效率的电力电子设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值2.5Ω（Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（根据具体型号）

特性

APS02N60H具备多项优异特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其600V的漏源击穿电压可支持广泛的高电压应用，包括AC-DC转换器和高压直流电机驱动系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在Vgs=10V时低于2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
　　此外，APS02N60H采用了先进的平面工艺，增强了器件的热稳定性和可靠性。其最大功耗为50W，支持较高的电流承载能力，适用于需要持续运行的工业级应用。器件的栅极驱动电压范围为±30V，具有较高的栅极耐压能力，避免因电压波动导致的损坏。
　　该MOSFET还具备出色的雪崩击穿能力，能够承受一定的过压和过流冲击，提升系统在异常工况下的稳定性。封装形式方面，APS02N60H通常采用TO-220或D2PAK封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。

应用

APS02N60H广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制模块以及工业自动化设备。由于其高耐压特性，该MOSFET常用于AC-DC转换器中的主开关器件，能够有效处理输入交流电压经过整流后的高压直流环境。
　　在照明应用中，APS02N60H可用于LED路灯、商业照明和舞台灯具的电源管理模块，提供高效稳定的电流控制。在电机控制领域，该器件可用于直流无刷电机驱动器的H桥结构中，实现高速开关控制并减少功率损耗。
　　此外，该MOSFET也适用于高频逆变器、电池充电器和工业电源模块，其高可靠性和优异的热管理能力使其在高温环境下依然保持稳定工作。