时间：2025/9/14 9:57:09
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PBSS305NZ,135是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和优良的热性能，适用于多种电源管理与功率转换应用。PBSS305NZ,135采用SOT223封装，适合需要高功率密度和良好散热性能的电路设计。该器件广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类便携式电子设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5.3A（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：55mΩ（典型值，Vgs=10V）
漏极电流脉冲(Imp)：16A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT223
功耗(Pd)：1.4W
存储温度范围：-55°C至150°C
PBSS305NZ,135采用了Nexperia先进的Trench MOSFET工艺，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），确保了在高电流应用中的高效能表现。其55mΩ的典型导通电阻显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在10V栅极驱动电压下提供高达5.3A的连续漏极电流，并支持高达16A的脉冲电流，适用于需要高功率输出的电路。
该MOSFET采用SOT223封装，具备良好的散热能力，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，从而提高系统的稳定性和可靠性。SOT223是一种表面贴装封装，适用于自动化生产流程，便于在PCB上进行高密度布局。
PBSS305NZ,135的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的环境条件。其±20V的栅极电压耐受能力也增强了器件在不同应用中的稳定性和抗干扰能力。该MOSFET还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
PBSS305NZ,135广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统中。由于其高效率和良好的散热性能，该器件特别适合用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、电动工具、LED照明驱动电路以及各类需要高效功率控制的电子系统中。
SI2302DS, SiS486ADN, FDS6680, AO4406A, NDS355AN
