APM3054NUC-TR 时间：2025/8/21 10:12:25 阅读：10

APM3054NUC-TR是一款由Advanced Power Technology（简称Advantech）推出的高性能N沟道MOSFET功率晶体管，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），适用于各类电源转换设备，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。APM3054NUC-TR采用UCSP（Ultra Thin Small Outline Package）封装，具备优良的热管理和空间利用率，适用于对体积和效率要求较高的便携式电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.4A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大32mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：UCSP（超薄小外形封装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8

特性

APM3054NUC-TR采用了先进的沟槽式MOSFET结构，能够实现更低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高电源转换效率。其Rds(on)在Vgs=10V时最大为32mΩ，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件具备较高的电流承载能力，在25℃环境下可支持连续漏极电流高达5.4A，适合中高功率应用。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平控制，兼容多种驱动电路设计。
　　该MOSFET采用UCSP封装，体积小巧，厚度极低，适用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备。该封装形式还具有良好的热性能，有助于在高负载条件下有效散热，提升系统稳定性与可靠性。
　　APM3054NUC-TR的工作温度范围为-55℃至150℃，适应多种恶劣环境条件，具备良好的热稳定性和耐久性。该器件还内置了静电放电（ESD）保护功能，能够有效防止静电损伤，提升整体系统的可靠性。

应用

APM3054NUC-TR广泛应用于各种高性能电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及便携式消费类电子产品中的功率开关控制。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换系统中表现出色，特别适用于需要高功率密度和节能设计的场合。此外，该器件也可用于工业自动化设备、通信模块、LED驱动器以及智能传感器等需要高效功率控制的场景。