时间：2025/8/7 15:09:27
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AP09N70I-H-HF是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）生产。该器件专为高电压、高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。AP09N70I-H-HF采用TO-220封装形式，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电系统等多种电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大漏极电流(Id)：9A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：0.85Ω（最大值，Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-220
AP09N70I-H-HF功率MOSFET具备多项优良特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其漏源电压额定值为700V，能够胜任高电压功率转换任务，例如在开关电源（SMPS）中作为主开关使用。其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）最大为0.85Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，AP09N70I-H-HF具有良好的热稳定性，最大功率耗散可达125W，确保在高负载条件下依然能够稳定运行。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V至4V，这意味着它可以与多种驱动电路兼容，例如常见的PWM控制器和微控制器。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在标准散热片上，适用于需要高效热管理的应用场景。
AP09N70I-H-HF还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的自我保护，从而提高系统的可靠性。此外，其低输入电容（Ciss）和快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
AP09N70I-H-HF适用于多种电力电子系统，广泛用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器、适配器、充电器、工业电机控制、照明系统和太阳能逆变器等应用中。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合用于需要高效率、高可靠性的电源管理方案。
AP10N70I-H-HF, FQP9N70C, STP9NK70ZFP, IRF840
