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CST1770H-220M 发布时间 时间:2025/7/10 4:25:56 查看 阅读:13

CST1770H-220M 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能应用场景设计。这款器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、射频放大器以及高速开关电路等领域。
  该型号采用了先进的封装技术,能够显著提高系统效率并减少热量损耗,同时支持更高的工作频率,从而满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:220A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:90nC
  反向恢复时间:40ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CST1770H-220M 具备以下关键特性:
  1. 高效的 GaN 技术使得其能够在高频条件下保持较低的能量损耗。
  2. 极低的导通电阻降低了传导损耗,提升了整体转换效率。
  3. 快速开关能力使其非常适合高频开关应用,如 DC-DC 转换器和无线充电设备。
  4. 良好的热稳定性确保了在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 小型化设计有助于简化终端产品的布局,并降低整体成本。
  此外,这款晶体管还拥有出色的抗电磁干扰性能,可有效减少系统中的噪声问题。

应用

CST1770H-220M 广泛应用于以下领域:
  1. 高功率密度 DC-DC 转换器
  2. 电动车充电基础设施
  3. 工业电机驱动
  4. 射频能量传输
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 数据中心电源供应单元
  7. 太阳能逆变器
  由于其卓越的性能表现,这款芯片特别适合需要高效能和高可靠性的场合。

替代型号

CST1770H-200M
  CST1770H-250M
  GaN Systems GS66518B

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