CST1770H-220M 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能应用场景设计。这款器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、射频放大器以及高速开关电路等领域。
该型号采用了先进的封装技术,能够显著提高系统效率并减少热量损耗,同时支持更高的工作频率,从而满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:220A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:40ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CST1770H-220M 具备以下关键特性:
1. 高效的 GaN 技术使得其能够在高频条件下保持较低的能量损耗。
2. 极低的导通电阻降低了传导损耗,提升了整体转换效率。
3. 快速开关能力使其非常适合高频开关应用,如 DC-DC 转换器和无线充电设备。
4. 良好的热稳定性确保了在极端温度条件下的可靠运行。
5. 小型化设计有助于简化终端产品的布局,并降低整体成本。
此外,这款晶体管还拥有出色的抗电磁干扰性能,可有效减少系统中的噪声问题。
CST1770H-220M 广泛应用于以下领域:
1. 高功率密度 DC-DC 转换器
2. 电动车充电基础设施
3. 工业电机驱动
4. 射频能量传输
5. 不间断电源(UPS)系统
6. 数据中心电源供应单元
7. 太阳能逆变器
由于其卓越的性能表现,这款芯片特别适合需要高效能和高可靠性的场合。
CST1770H-200M
CST1770H-250M
GaN Systems GS66518B