时间：2025/8/13 16:33:36
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APM2302CAC-TRL是一款由Advanced Power Technology生产的高性能双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）阵列。该器件主要用于需要高效率和紧凑设计的电源管理应用，如负载开关、DC-DC转换器和电机驱动电路等。APM2302CAC-TRL采用了先进的工艺技术，确保了低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。其封装形式为SOT-26（6引脚），适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。
类型：双N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大3.7A
漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(ON)）：每个MOSFET在VGS=4.5V时为65mΩ，VGS=2.5V时为95mΩ
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-26（6引脚）
APM2302CAC-TRL的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。在VGS=4.5V时，RDS(ON)仅为65mΩ，而在较低的栅极电压（VGS=2.5V）下，RDS(ON)也保持在95mΩ的较低水平，这使得该器件适用于低电压驱动电路。
其次，APM2302CAC-TRL采用双MOSFET结构，两个独立的N沟道MOSFET集成在一个封装内，非常适合用于同步整流器或双通道负载开关等应用。这种集成设计不仅减少了PCB面积，还简化了电路布局。
此外，该器件具有良好的热性能，能够在高电流条件下保持稳定工作。SOT-26封装的热阻较低，有助于热量的快速散发，从而提高器件的可靠性和寿命。
APM2302CAC-TRL的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，适用于工业级和消费类电子设备。
最后，该MOSFET阵列的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到4.5V的驱动电压，适用于多种控制电路，包括使用低电压微控制器的应用。
APM2302CAC-TRL广泛应用于需要高效功率管理的场合。常见的应用包括负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动器。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，APM2302CAC-TRL可以作为高效的电源开关或电压调节元件。在工业自动化设备中，该器件可用于驱动继电器、传感器和其他低功率负载。此外，由于其低导通电阻和高效率，APM2302CAC-TRL也常用于同步整流型开关电源中，以提高整体能效。
Si2302DS、AP2302AC、FDMC8003、NTLJD3114N、FDMS3610
