时间：2025/6/27 3:56:51
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GLZ18B_R1_10001是一种高性能的功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低能量损耗并提升系统性能。
该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于高频开关电路设计，同时其封装形式也使其在散热性能方面表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：120pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GLZ18B_R1_10001具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它非常适合需要高效能转换的应用场景。此外，它的快速开关速度可以减少开关损耗，从而进一步提高整体效率。
该器件还具备强大的热稳定性，即使在极端环境条件下也能保持可靠运行。由于采用了优化的封装设计，GLZ18B_R1_10001拥有良好的散热能力，这对于高功率应用至关重要。
另外，其高击穿电压确保了在各种复杂工况下的安全性，而较低的输入和输出电容则有助于简化电路设计。
这款功率MOSFET广泛用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。
在汽车电子领域，GLZ18B_R1_10001也可作为关键元件应用于车载充电器、电动助力转向系统和其他动力传动组件中。
GLZ18B_R2_10001
IRFZ44N
FDP5572
