APL5320-30BI-TRG是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的射频功率晶体管,专为高频、高效率的无线通信应用而设计。该器件适用于蜂窝基站、点对点无线电以及其他射频放大器场景。它能够在较宽的工作频率范围内提供稳定的增益和输出功率,同时保持较低的失真水平。
这款晶体管采用表面贴装封装形式,适合自动化生产和紧凑型电路设计。其内部结构经过优化,能够承受较高的射频功率负载,并具备良好的散热性能。
型号:APL5320-30BI-TRG
工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
输出功率(典型值):30 W
增益(典型值):12 dB
VSWR耐受性:高达 2.5:1
电源电压:28 V
电流消耗:根据负载条件变化
封装形式:表面贴装 (SMD)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
APL5320-30BI-TRG具有以下主要特性:
1. 高效的射频功率输出,非常适合于要求严格的无线通信环境。
2. 在整个工作频率范围内表现出优异的线性和稳定性。
3. 内部匹配网络设计简化了外部电路的设计复杂度。
4. 耐高温和耐高湿性能强,适应各种恶劣环境下的使用需求。
5. 表面贴装封装使其更易于集成到现代电路板中。
6. 提供可靠的电气保护功能,例如过压保护和过热关断机制。
APL5320-30BI-TRG广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站中的射频功率放大器模块。
2. 点对点微波通信系统的功率放大阶段。
3. 测试与测量设备中的高性能信号源。
4. 工业、科学及医疗(ISM)频段内的无线发射设备。
5. 卫星通信系统中的上行链路放大器部分。
6. 其他需要高效、稳定射频功率输出的应用场景。
APL5320-25BI-TRG, APL5320-35BI-TRG