类型：LPDDR5 SDRAM
　　容量：16Gb（2GB）
　　数据速率：6400Mbps
　　电压：1.05V（VDD/VDDQ）
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：90-ball FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口：JEDEC 标准接口
　　数据宽度：16位
　　时钟频率：3200MHz
　　封装高度：0.78mm

H9HKNNNCRMMUCR-NMH 具有多个显著的技术特性，使其在移动设备和高性能计算领域中表现出色。
　　首先，该芯片采用LPDDR5技术，具备高达6400Mbps的数据传输速率，显著提高了内存带宽，从而提升了系统整体性能。相比前代LPDDR4X，LPDDR5在数据传输效率和功耗管理方面进行了多项优化，支持更复杂的应用场景。
　　其次，H9HKNNNCRMMUCR-NMH 的工作电压为1.05V，相较于传统的1.2V内存芯片，功耗显著降低，有助于延长移动设备的电池续航时间。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）等，进一步优化了能耗管理。
　　在封装方面，该芯片采用90-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，尺寸小巧且具有良好的散热性能，适合高密度主板设计。其0.78mm的超薄封装高度使其适用于超薄移动设备，如智能手机和轻薄笔记本电脑。
　　此外，H9HKNNNCRMMUCR-NMH 支持多种数据校验和纠错功能，例如写入校验（Write Calibration）、读取校验（Read Calibration）和ZQ校准，确保数据传输的稳定性和可靠性。这些功能在高负载或高温环境下尤为重要，有助于提升系统的长期运行稳定性。

H9HKNNNCRMMUCR-NMH 主要应用于对性能和功耗有较高要求的电子设备。最常见的使用场景是智能手机和高端平板电脑，作为主内存（RAM）用于临时存储运行中的应用程序和系统数据。此外，该芯片也广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及边缘计算设备，满足高性能计算和人工智能推理等新兴应用场景的需求。由于其低功耗和高带宽的特性，H9HKNNNCRMMUCR-NMH 也适用于需要长时间运行的便携式医疗设备和智能穿戴设备。

H9HKNNNCRMMUCR-NMH 的替代型号包括 SK Hynix 的 H9HKNNNCRMMUCR-NMD 和 H9HKNNNCRMMUCR-NME，以及三星（Samsung）的 LPDDR5 内存芯片如 K3UH60BD2AM-AGCP 和美光（Micron）的 LPDDR5 型号 MT58K256M8GQTB4-107。这些型号在容量、速度等级和封装形式上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。