时间：2025/9/2 10:09:59
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H9HCNNNBKUMLHR-NME是一款由SK海力士（Hynix）生产的高性能DRAM芯片。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有较高的存储密度和数据传输速率，适用于需要大容量内存和快速数据访问的高端应用场合，如服务器、网络设备、工业控制系统以及嵌入式系统等。该芯片的封装形式为BGA（Ball Grid Array），使其在空间受限的设计中依然能够提供出色的性能和稳定性。
容量：2Gb（256MB）
组织架构：x16
工作电压：1.8V至3.3V（根据具体应用需求）
接口类型：异步/同步（具体取决于配置）
时钟频率：最高可达166MHz
封装类型：54-ball FBGA
工作温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
数据传输速率：高达166MHz
封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册
数据保持时间：自动刷新模式下为64ms
刷新方式：自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）
H9HCNNNBKUMLHR-NME具备多项先进的技术特性，确保其在各种应用场景下的稳定性和高性能。首先，它支持自动刷新和自刷新功能，能够在不增加系统负担的情况下维持数据的完整性，这对于需要长时间运行的工业和网络设备尤为重要。
其次，该DRAM芯片采用了低功耗设计，在保证高性能的同时有效降低功耗，适用于对能效有较高要求的嵌入式系统和便携设备。
此外，H9HCNNNBKUMLHR-NME支持异步和同步操作模式，用户可以根据具体应用需求选择合适的操作模式，从而在性能与功耗之间实现最佳平衡。
该芯片的FBGA封装形式不仅节省空间，而且提供了良好的电气性能和热稳定性，适合高密度PCB布局和高温环境下的应用。
最后，H9HCNNNBKUMLHR-NME具备较高的数据访问速度和稳定性，能够满足对内存性能要求较高的应用，如高速缓存、图形处理和实时数据处理等。
H9HCNNNBKUMLHR-NME广泛应用于需要高性能内存支持的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、通信基础设施（如路由器和交换机）、网络存储设备、嵌入式系统以及高端消费类电子产品。由于其支持宽温度范围和低功耗特性，该芯片也适用于户外设备和工业自动化系统等对环境适应性要求较高的场合。
H9TNNNNBKTMLHR-NME
H9HPNNNDBUM-LHR
H9TNNNNBKTMLHR
