时间：2025/8/2 6:55:44
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AP9997GK-HF是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高性能的导通特性和低损耗特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等多种应用。AP9997GK-HF采用SOT-23-6封装，具有较高的集成度和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = 10V
阈值电压（VGS(th)）：1.1V ~ 2.5V
封装类型：SOT-23-6
AP9997GK-HF具有出色的导通性能和低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。其低RDS(on)特性使得在高电流应用中也能保持较低的温升，提高了系统的稳定性。该器件的封装设计紧凑，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热管理和可靠性，适用于多种工业级应用环境。
此外，AP9997GK-HF的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至12V的驱动电压，适用于多种栅极驱动电路设计。其高耐压能力和良好的短路保护能力，使其在复杂电磁环境下仍能稳定工作。该器件还具备较高的开关速度，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
AP9997GK-HF广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业控制设备等。其优异的导通性能也使其适用于高效率电源模块和便携式电子设备的电源管理部分。
Si2302DS, AO3400, FDS6679, NTD4859N
