AP94T07GH-HF 是一款基于 gallium nitride (GaN) 技术的高效功率转换开关元件,由安谱隆半导体(Ampleon)设计制造。该器件适用于高频、高效率的应用场景,如射频功率放大器、Doherty放大器以及无线能量传输系统。
它采用了先进的GaN HEMT技术,在提供高击穿电压的同时具备低导通电阻和高开关速度的特点。这些特性使其非常适合需要高功率密度和高效率的应用环境。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:6V
连续漏极电流:45A
导通电阻:7mΩ
输出电容:320pF
开关频率:最高可达20MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
这款 GaN 器件具有以下主要特点:
1. 高效性能:得益于低导通电阻和高开关速度,AP94T07GH-HF 可以在高频应用中保持较高的效率。
2. 耐高压能力:其100V的最大漏源电压允许其在较高电压环境下运行,从而满足多种工业及通信应用需求。
3. 低热阻结构:优化的封装设计提供了较低的热阻,有助于提高散热效果并延长器件寿命。
4. 快速开关:高达20MHz的开关频率支持高频操作,适用于高频功率转换场景。
5. 紧凑型封装:该器件采用符合行业标准的封装形式,便于集成到现有的电路设计中。
AP94T07GH-HF 广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器:
- 在基站、雷达系统以及卫星通信设备中的射频功率放大器中发挥重要作用。
2. Doherty 放大器:
- 由于其优异的效率和线性度表现,特别适合用于现代通信系统的Doherty架构。
3. 无线充电:
- 在高频无线能量传输系统中,能够实现高效的能量转换。
4. 功率变换器:
- 包括 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及其他功率电子模块,特别是在需要高效率和高功率密度的设计中。
AP94T07GH-FH, AP94T08GH-HF