类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：24A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.18Ω（最大0.22Ω）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功耗(Pd)：50W
　　最大工作频率：150kHz

GM5GC05240AC采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，使其在高电压和高电流条件下表现出色。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而延长了使用寿命并提高了可靠性。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252，具备良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。同时，其高栅极击穿电压（±20V）提供了更好的抗电压波动能力，防止因栅极过压而导致的器件损坏。
　　在开关性能方面，GM5GC05240AC具有快速的开关速度，适用于高频转换器应用。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）进一步减少了开关损耗，有助于提高系统效率并降低电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下提供额外的保护，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车应用。

GM5GC05240AC广泛应用于各类电源转换系统，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及LED照明电源等。此外，它也可用于工业自动化设备、电动车充电模块以及消费类电子产品中的高效能电源管理系统。

建议的替代型号包括：IRF540N、FDP55N50、FQP24N50C、STF24N50M、TK24A50D