时间：2025/6/10 17:33:31
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AP50N03是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的SOT-23封装，适用于空间受限的设计。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式电子设备、电源管理电路以及信号切换应用的理想选择。
该MOSFET的最大工作电压为30V，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高效率。同时，其高雪崩击穿能力提升了在异常情况下的可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：400mW（Tc=25℃）
工作结温范围：-55℃至+150℃
AP50N03具有以下主要特性：
1. 低导通电阻，减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
5. 宽温度范围，适合各种环境条件下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的初级或次级开关。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机驱动控制电路。
4. 便携式电子设备的电源管理。
5. 数据通信接口保护电路。
6. 信号切换与隔离电路。
AO3400
SI2302DS
NTLSD2P02Z
