时间：2025/12/26 10:28:50
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AP3785TMTR-G1是一款由Diodes Incorporated生产的高精度、低待机功耗的原边控制开关电源（PSR Flyback）控制器，广泛应用于小功率离线式AC-DC转换器中。该芯片采用电流模式PWM控制技术，结合原边反馈机制，无需光耦和TL431等次级反馈元件，从而简化了系统设计，降低了整体成本，并提高了系统的可靠性。AP3785TMTR-G1专为满足能源之星（Energy Star）、欧盟CoC Tier 2等国际能效标准而设计，在空载或轻载条件下仍能保持极低的功耗表现，适合用于手机充电器、适配器、智能家居设备电源模块等对效率与体积要求较高的应用场景。该器件封装形式为SOT-26，具有体积小巧、易于布局布线的优点，适用于高密度PCB设计。此外，芯片内部集成了多种保护功能，如过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、短路保护（SCP）以及前沿消隐（LEB），确保在各种异常工作条件下都能安全可靠运行。
类型：原边控制反激式控制器
工作电压范围：8.8V 至 26V（启动电压典型值9.2V）
最大占空比：约80%
开关频率：65kHz ± 10%
控制模式：电流模式PWM
反馈方式：原边侧调节（PSR），无需光耦
启动电流：典型值2.5μA
工作电流：典型值2.8mA
保护功能：过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、短路保护（SCP）、前沿消隐（LEB）
封装形式：SOT-26
引脚数：6
环保等级：符合RoHS指令，无卤素（Halogen-free）
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
AP3785TMTR-G1采用先进的原边反馈控制技术，通过检测变压器初级绕组的去磁时间来精确估算输出电压，从而实现稳定的电压调节，省去了传统方案中的光耦和次级反馈电路，显著减少了元器件数量和PCB空间占用，同时提升了系统的长期可靠性。其内置高精度参考电压源和优化的环路补偿网络，使得在整个输入电压和负载范围内都能保持优异的电压调整率和负载调整率。芯片具备极低的启动电流（典型值仅2.5μA），可在短时间内完成高压启动过程，同时降低待机功耗，有助于系统轻松满足六级能效（IEC61000-3-2）及各类节能认证要求。
该器件采用恒定开关频率设计，工作频率约为65kHz，可有效避免音频噪声干扰，适用于对EMI敏感的应用场景。其内部集成前沿消隐电路，防止因MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰误触发保护，增强了系统的抗干扰能力。逐周期电流限制机制可实时监控功率开关的峰值电流，确保在过载或短路情况下快速响应并限制能量输出。当发生持续故障时，芯片会进入“打嗝模式”（Hiccup Mode），间歇性重启以降低功耗并防止过热损坏。
AP3785TMTR-G1还具备完善的保护机制，包括输入过压保护、输出过压保护、过温保护等多重防护措施。其中，过温保护采用迟滞控制策略，当芯片温度超过设定阈值（通常为150°C）时自动关闭输出，待温度下降后恢复正常工作，避免频繁重启。所有保护功能均具有自动恢复或打嗝模式选项，可根据具体应用需求进行外围配置，提升系统安全性与用户体验。
AP3785TMTR-G1主要应用于中小功率AC-DC电源转换场合，尤其适用于对成本、体积和能效有较高要求的消费类电子产品。典型应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携设备的充电器；家用电器中的辅助电源，如智能插座、路由器、摄像头、电子门铃等；LED照明驱动电源，特别是低压直流供电的小功率LED灯带或灯具；工业控制领域的传感器供电模块、隔离栅极驱动电源等。由于其无需光耦的设计特点，特别适合需要增强电气隔离性能且追求长寿命、免维护的系统。此外，该芯片也常用于替换传统的次级反馈反激控制器（如OB2263、VIPER系列等），在不改变主拓扑结构的前提下实现更优的能效表现和更低的BOM成本。其SOT-26封装形式支持全自动贴片生产，适合大规模制造，广泛应用于各类标准化适配器和通用电源模块中。
AP8785TMR-G1
BP3785
OB2262
