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HUF76106D3ST 发布时间 时间:2025/12/29 15:25:34 查看 阅读:57

HUF76106D3ST是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频开关应用设计,广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统、负载开关和电机控制等领域。HUF76106D3ST采用先进的Trench沟槽技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在高温和高负载条件下稳定工作。其封装形式为DPAK(TO-252)表面贴装封装,便于自动化生产和散热管理。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大5.7mΩ @ Vgs = 10V
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

HUF76106D3ST具有多项优异的电气和物理特性,使其在高功率和高频率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率,尤其在高负载条件下表现突出。该特性对于DC-DC转换器和同步整流器等应用尤为重要。
  其次,该器件具有高电流承载能力,额定连续漏极电流高达80A,适用于大功率负载开关和电机驱动应用。其内部结构优化设计,确保了在高电流工作状态下的稳定性和可靠性。
  此外,HUF76106D3ST支持高达±20V的栅源电压,增强了其在不同驱动电路中的兼容性,并降低了栅极驱动电路设计的复杂性。其快速开关特性(包括短的开关时间和低栅极电荷)使其适用于高频开关应用,从而减小了外围元件的尺寸并提高了整体功率密度。
  在热管理方面,DPAK封装具有良好的热传导性能,能够有效将热量传导至PCB板或散热片,确保在高功耗环境下器件的稳定性。其工作温度范围宽达-55°C至175°C,适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。
  最后,HUF76106D3ST内置防静电保护结构,提高了器件在生产、运输和使用过程中的抗静电能力,降低了损坏风险。

应用

HUF76106D3ST广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。
  在DC-DC转换器中,该器件常用于同步整流、降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构,以提高转换效率并减小系统体积。其低导通电阻和高开关速度使其成为高功率密度电源模块的理想选择。
  在电池管理系统中,HUF76106D3ST可用于电池充放电控制、负载开关和保护电路。其高电流能力和稳定的工作特性确保了电池系统的安全和高效运行。
  在电机控制领域,该器件适用于直流电机驱动、电动工具和机器人控制系统。其高耐流能力和良好的热稳定性使其能够承受电机启动时的瞬时大电流冲击。
  此外,HUF76106D3ST也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、LED车灯驱动、电动助力转向系统等,满足汽车电子对可靠性和工作温度范围的严苛要求。

替代型号

SiR178DP-T1-GE、IRF7801Z、FDS6680、NTMFS4C10N、FDMS7610

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