时间：2025/6/26 16:22:24
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FDS6574A是一种N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用SO-8封装形式，适用于多种开关和功率转换应用。其主要特点是低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。它广泛应用于消费类电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：19A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：11nC
开关时间：典型值ton=10ns，toff=15ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
FDS6574A具有非常低的导通电阻，仅为2.5毫欧，这使得它的传导损耗更低，在大电流应用中表现优异。
此外，该器件具备快速开关特性，栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
其SO-8封装形式紧凑且散热良好，适合在空间受限的设计中使用。
FDS6574A还具备较高的雪崩击穿能力，增强了其在异常工作条件下的鲁棒性。
FDS6574A适用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动、电池保护、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景。由于其低导通电阻和快速开关性能，特别适合高频开关电源设计。同时，它也广泛用于笔记本电脑适配器、LED照明驱动以及消费类电子产品中的功率转换模块。
FDS6574, FDP5500, IRF7712
