AP2306GN-HF 是一款由 Diodes 公司(原安森美半导体)推出的高性价比、低电压、双N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的Trench工艺,具备低导通电阻(RDS(ON))和优异的热性能,适用于需要高效功率管理的便携式电子设备和电源管理系统。该MOSFET采用绿色、无卤素的封装材料,符合RoHS环保标准。
类型:双N沟道MOSFET
封装类型:TSSOP-8
漏极-源极击穿电压(VDS):30V
栅极-源极电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):6A(@VGS=10V)
导通电阻(RDS(ON)):28mΩ(@VGS=10V)
导通电阻(RDS(ON)):35mΩ(@VGS=4.5V)
工作温度范围:-55°C至150°C
功率耗散(PD):2.5W
AP2306GN-HF 采用先进的Trench结构,具备非常低的导通电阻(RDS(ON)),显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其双N沟道结构设计使得该器件非常适合用于同步整流、负载开关和DC-DC转换器等应用。
该器件的栅极驱动电压范围宽,支持4.5V至20V的栅极电压,兼容多种驱动电路,包括常见的5V和12V电源系统。同时,其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,提高高频工作的性能。
AP2306GN-HF 采用TSSOP-8封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用,同时具备良好的热管理能力,确保在高电流负载下仍能保持稳定工作。此外,该器件通过了AEC-Q101汽车级认证,适用于对可靠性要求较高的车载电子系统。
环保方面,AP2306GN-HF 采用无卤素、无铅的绿色封装材料,符合RoHS指令和REACH法规,适用于各类环保型电子产品。
AP2306GN-HF 主要应用于以下领域:
1. 同步整流电路:用于DC-DC转换器中提高转换效率,特别是在低电压、高电流输出的电源设计中。
2. 负载开关电路:在电池供电设备中控制电源通断,降低待机功耗。
3. 电机驱动电路:适用于小型直流电机的驱动控制,提供高效、低损耗的功率控制。
4. 汽车电子系统:如车载充电器、电池管理系统(BMS)、电动工具等需要高可靠性和高效能的场景。
5. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑、移动电源等产品中的电源管理和能量转换系统。
Si3442DV, BSS138K, AO3400A, AP2314GN-HF