IRF7805ZTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用PowerPAK? 1212-8封装,适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:29nC
总电容:105pF
工作结温范围:-55℃至175℃
IRF7805ZTRPBF具备以下特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,能够支持高频工作环境。
3. 小尺寸PowerPAK? 1212-8封装,节省PCB空间。
4. 支持高达175℃的工作结温,适应恶劣的工作条件。
5. 具备优异的热稳定性和可靠性,延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
该器件广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. DC-DC转换器中的同步整流。
2. 消费类电子产品中的负载开关。
3. 工业设备中的电机驱动。
4. 电源管理模块中的功率开关。
5. 电池保护电路中的开关元件。
6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。
IRF7804ZTRPBF, IRF7803ZTRPBF