您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7805ZTRPBF

IRF7805ZTRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 18:17:51 查看 阅读:9

IRF7805ZTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用PowerPAK? 1212-8封装,适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.3A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:105pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRF7805ZTRPBF具备以下特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,能够支持高频工作环境。
  3. 小尺寸PowerPAK? 1212-8封装,节省PCB空间。
  4. 支持高达175℃的工作结温,适应恶劣的工作条件。
  5. 具备优异的热稳定性和可靠性,延长使用寿命。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

该器件广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器中的同步整流。
  2. 消费类电子产品中的负载开关。
  3. 工业设备中的电机驱动。
  4. 电源管理模块中的功率开关。
  5. 电池保护电路中的开关元件。
  6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。

替代型号

IRF7804ZTRPBF, IRF7803ZTRPBF

IRF7805ZTRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7805ZTRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7805ZTRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2080pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7805ZPBFTRIRF7805ZTRPBF-NDIRF7805ZTRPBFTR-ND