时间：2025/12/26 10:35:00
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AP1695MTR-G1是一款由Diodes Incorporated生产的高效率、电流模式PWM（脉宽调制）控制器，专为离线式反激变换器设计，广泛应用于低功率AC/DC电源转换场景。该芯片集成了多种保护功能和优化特性，能够在宽输入电压范围内稳定工作，适用于适配器、充电器、小型家电电源及待机电源等应用。AP1695MTR-G1采用SOT-26封装，具有体积小、引脚少、集成度高的特点，适合高密度PCB布局。其内部集成了高压启动电路，可在上电时快速启动，无需外部启动电阻，从而减少外围元件数量并提升系统可靠性。此外，芯片支持突发模式（Burst Mode）操作，在轻载或空载条件下自动进入低功耗状态，显著降低待机功耗，满足国际能效标准如Energy Star和DoE Level VI的要求。该器件具备完善的保护机制，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB），有效防止误触发和损坏。AP1695MTR-G1还具备频率抖动（Frequency Shifting）技术，有助于降低电磁干扰（EMI），简化EMI滤波电路设计，提高系统通过认证的几率。整体而言，AP1695MTR-G1是一款面向成本敏感型、高性能要求的低功率开关电源的理想控制IC。
工作电压范围：8.5V ~ 20V
启动电流：≤ 5μA
最大占空比：约65%
振荡器频率：65kHz ± 8%
反馈类型：电流模式PWM
软启动时间：典型值8ms
过压保护阈值：典型120%额定输出
保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐
封装形式：SOT-26
引脚数：6
导通电阻（内部MOSFET）：无（外驱MOS）
驱动能力：图腾柱输出，可驱动外部N沟道MOSFET
待机功耗：< 30mW（典型）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
AP1695MTR-G1采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的线路与负载调节能力。其内置的高压启动电路在上电后通过内部高压电流源对VDD电容充电，实现快速自启动，避免了传统启动电阻带来的持续功耗，提升了整体效率。当VDD电压达到开启阈值后，芯片开始正常工作，并通过辅助绕组或光耦反馈进行供电维持。为了优化轻载效率，该芯片引入了智能突发模式控制机制：在负载减轻至一定程度时，PWM控制器会周期性地关闭输出驱动，仅在输出电压下降到设定阈值时才重新启动几个开关周期，随后再次进入休眠，这种间歇工作方式大幅降低了开关损耗和驱动损耗，使待机功耗控制在极低水平。此外，芯片具备精确的逐周期电流限制功能，通过对主开关管电流的实时监测实现可靠的过流保护，同时结合前沿消隐技术，有效滤除电流检测信号中的尖峰噪声，防止因寄生电感引起的误关断。频率抖动技术则通过轻微调制开关频率来分散能量频谱，降低传导和辐射EMI峰值，有助于通过CISPR22/EN55022等电磁兼容标准。芯片还集成了多重安全保护：当反馈回路异常导致输出过压时，OVP功能将立即锁闭输出；若芯片结温超过安全限值，OTP将触发并进入打嗝模式直至温度恢复；而OLP则在持续过载情况下启动，防止变压器饱和或元器件过热损坏。这些特性共同确保了电源系统的长期可靠运行。
该器件设计注重简化外围电路，仅需少量外部元件即可构建完整反激电源，有利于降低BOM成本和生产复杂度。其SOT-26小型化封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴装，适用于大规模消费类电子产品制造。AP1695MTR-G1在设计上充分考虑了绿色环保趋势，符合RoHS指令和无卤素要求，支持现代节能法规。工程师在使用该芯片时可通过调整Rt电阻设定开关频率，利用CS电阻设置电流阈值，并通过反馈网络调节输出电压精度。整体设计灵活且鲁棒性强，适合从5W到15W范围内的隔离式电源应用开发。
AP1695MTR-G1主要用于低功率隔离型开关电源设计，典型应用场景包括手机充电器、USB适配器、智能家居设备电源模块、路由器和机顶盒的辅助电源、白色家电中的控制板供电、LED照明驱动电源以及工业传感器供电单元。由于其出色的待机效率和紧凑的设计，特别适合需要满足严苛能效规范的产品。此外，该芯片也常用于DVD播放器、电子门铃、小型电动工具充电器等消费类电子产品中作为主控IC。其高集成度和内置保护功能使其成为替代传统分立式控制方案的理想选择，广泛服务于对成本、体积和可靠性均有较高要求的市场领域。
AP1695MTR-G1
