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JX2N5419 发布时间 时间:2025/9/2 21:52:55 查看 阅读:9

JX2N5419是一款由JX Microtechnology生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高频率开关应用。该器件设计用于高效能、高稳定性的电源管理和功率转换系统中,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制及LED照明等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):1.5A
  漏源极击穿电压(Vds):600V
  栅源极电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):约3.0Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-92、SOT-23等

特性

JX2N5419具备低导通电阻,能够在高电压下保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。
  其高耐压能力(600V)使其适用于高电压环境下的开关控制。
  该器件具有良好的热稳定性,能够在较高的环境温度下稳定工作。
  此外,JX2N5419的栅极驱动电压范围较宽(±30V),提高了在不同驱动电路中的兼容性。
  其封装形式多样,包括TO-92和SOT-23,适合不同电路板设计需求,尤其适用于空间受限的设计场景。
  该MOSFET具备良好的抗雪崩能力,可在瞬态过压情况下提供一定的保护能力。

应用

JX2N5419广泛应用于各种功率电子设备中,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动电源、智能电表、工业控制电路以及家用电器中的电源管理模块。
  由于其高耐压特性,也常用于高压开关电源和马达控制电路中。
  在LED照明系统中,它用于恒流驱动电路中的主开关元件。
  此外,JX2N5419还可用于继电器替代、自动测试设备(ATE)电源模块以及小型UPS系统中的功率控制部分。

替代型号

2N5419, JX2N5418, 2N6782, IRFML8244

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