类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：200V
　　漏极电流（Id）：15A（连续）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

2SK2226-01S-TE24R MOSFET具有多项优异特性，能够满足高要求的应用需求。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的耐压能力（Vds=200V），能够承受较大的电压波动，适用于中高功率应用。此外，它支持高达15A的连续漏极电流，适用于高负载场景。
　　该MOSFET采用了东芝先进的功率MOSFET制造技术，确保了其在高频率开关应用中的稳定性和可靠性。其热阻较低，有助于在高功率操作下维持较低的结温，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。此外，2SK2226-01S-TE24R采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了生产效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的驱动条件下稳定工作。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。由于其高可靠性和良好的性能表现，2SK2226-01S-TE24R常用于工业电源、电信设备、消费类电子产品和电机控制电路中。

2SK2226-01S-TE24R MOSFET适用于多种高功率和高频开关应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及各种工业控制设备。其低导通电阻和高耐压能力使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。

2SK2226-01S-TE24R的替代型号包括2SK1530-01U、2SK2648和2SK2230，这些型号在某些应用中可以提供类似的电气性能和封装形式，但使用前应详细比对参数以确保兼容性。