类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-280mA
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 1.6Ω @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 2.2Ω @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 2.0Ω @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：约 65pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
　　开启时间（ton）：约 15ns
　　关断时间（toff）：约 10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23
　　安装类型：表面贴装

AP133-SNG-7 作为一款高性能 P 沟道 MOSFET，具备多项优异的电气与物理特性，适合用于现代低功耗和高密度集成的电子系统中。首先，其低导通电阻（RDS(on)）是该器件的核心优势之一。在标准测试条件下（VGS = -4.5V），其典型 RDS(on) 值仅为 1.6Ω，最大不超过 2.2Ω；而在更低的驱动电压下（如 VGS = -2.5V），仍能保持约 2.0Ω 的低阻状态。这种低导通电阻显著降低了器件在导通状态下的功率损耗（I2R 损耗），从而提高了电源转换效率，并减少了散热需求，特别适用于对能效要求较高的电池供电设备。
　　其次，AP133-SNG-7 支持宽范围的栅极驱动电压（1.8V 至 5.5V），能够与多种主流微控制器和逻辑 IC 直接接口，无需额外的电平转换电路。这一特性增强了系统的集成度并简化了设计复杂度。其负的栅极阈值电压（VGS(th)）范围为 -0.8V 至 -1.5V，确保了在低电压下也能实现可靠的开关动作，避免因驱动不足导致的非饱和导通问题。
　　再者，该器件采用 SOT-23 封装，尺寸小巧（约 2.9mm × 1.6mm × 1.1mm），非常适合用于手机、可穿戴设备、便携式医疗仪器和其他紧凑型电子产品中。尽管体积小，但其热性能经过优化，能够在有限的空间内有效散发热量。同时，器件具有良好的开关速度，开启时间约为 15ns，关断时间约为 10ns，适用于中高频开关应用，如 LED 驱动或负载切换。
　　最后，AP133-SNG-7 具备出色的温度稳定性，工作结温范围从 -55°C 到 +150°C，可在严苛环境条件下可靠运行。其 ±12V 的栅源电压耐受能力也提供了更高的抗干扰能力和使用安全性，防止因瞬态过压导致的栅氧层击穿。这些综合特性使 AP133-SNG-7 成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

AP133-SNG-7 广泛应用于各类低功率电子系统中，尤其是在需要小型化、低功耗和高可靠性的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载控制，例如智能手机、平板电脑和智能手表中的外设电源管理模块。它可以用来控制蓝牙模块、摄像头模组或传感器的上电与断电，实现按需供电以延长电池续航时间。
　　另一个重要应用场景是电池供电设备中的反向极性保护和电池反接保护电路。由于其 P 沟道结构，AP133-SNG-7 可被配置为高边开关，在检测到异常电压极性时迅速切断回路，从而保护后级电路免受损坏。此外，它也可用于 UPS（不间断电源）或备用电源切换系统中，实现主电源与备用电源之间的无缝切换。
　　在工业控制与通信设备中，AP133-SNG-7 常被用作信号路径上的模拟开关或数字控制开关，用于隔离不同功能模块或实现多路复用。其快速的开关响应时间和低导通电阻有助于减少信号失真和延迟，提升系统响应速度。
　　此外，该器件还适用于 LED 指示灯驱动电路，作为简单的开关元件控制 LED 的亮灭。由于其支持低电压逻辑驱动，可以直接由 GPIO 引脚控制，无需额外驱动芯片，降低了整体成本和 PCB 占用面积。在嵌入式系统中，它还可用于 I2C、SPI 总线的电平隔离或总线保持电路中，提高通信稳定性。

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　　 "AP133-E3-13",
　　 "DMG3415U",
　　 "FDC6314P",
　　 "MMBT3906",
　　 "ZXM61P02F"
　　]