时间：2025/8/5 22:47:59
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VUO82-18N07 是一款由Microsemi（现为Littelfuse旗下品牌）生产的高电压、高电流功率MOSFET模块，广泛用于需要高可靠性和高性能的工业与电源管理应用。该器件采用双封装结构，内部集成两个N沟道MOSFET，适用于高频开关和高效能电源转换场景。
类型：功率MOSFET模块
配置：双N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：180V
最大漏极电流（ID）：82A
导通电阻（RDS(on)）：约5.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约220nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：双D2PAK表面贴装封装
VUO82-18N07具备出色的导通性能和低开关损耗，适用于高频率工作环境。其低RDS(on)特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有优异的热稳定性与可靠性，能够在高温度条件下稳定工作。模块内部采用先进的硅芯片技术，确保在高电流和高电压下保持稳定的性能表现。
该MOSFET模块的封装设计优化了散热性能，便于PCB安装与散热管理。同时，其双MOSFET结构可用于同步整流、桥式拓扑或双路功率控制等应用。器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业、通信和消费类电源系统。
VUO82-18N07在短路和过温条件下具有较强的耐受能力，可通过外部驱动电路进行保护控制。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准MOSFET驱动器，便于设计与集成。
VUO82-18N07主要应用于高功率DC-DC转换器、服务器电源、通信电源、UPS系统、工业电源、电机驱动、同步整流电路以及高效能电池管理系统（BMS）等场景。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于新能源、电动汽车充电设备以及储能系统的功率转换模块中。
VUO82-18N07的替代型号包括VUO82-16N07、VUO83-18N07、VUO84-18N07等，具体选择应根据系统需求进行电气参数和热性能的匹配验证。
