时间：2025/7/31 22:00:48
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AP10P067YT是一款由Anpec（茂达电子）生产的高性能、低功耗的功率场效应晶体管（MOSFET），适用于多种高效率电源转换系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供卓越的导通电阻和开关性能。AP10P067YT封装为TO-252，适用于表面贴装，便于在紧凑的PCB布局中使用。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及各类便携式电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：6.7mΩ（最大值，典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：100W
AP10P067YT采用先进的沟槽式技术，具有超低导通电阻的特点，使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电压耐受能力（±20V）增强了其在各种复杂工作环境下的稳定性和可靠性。此外，AP10P067YT具备较高的热稳定性，能够在较高温度环境下正常运行，延长器件的使用寿命。
其封装形式为TO-252，这种封装不仅便于表面贴装，还具备良好的热管理和散热性能，非常适合在高功率密度的电源系统中使用。此外，AP10P067YT的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提升电源转换效率。其高耐压能力和优异的热性能，使得该器件能够在高频开关应用中表现出色，适用于多种复杂的电源拓扑结构。
AP10P067YT广泛应用于各种电源管理系统和功率转换设备中，例如DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统等。该器件还适用于各种便携式电子产品、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。由于其高电流能力和优异的导通电阻特性，AP10P067YT在需要高效能和高可靠性的电源系统中表现尤为出色。
AP10P067YT的替代型号包括AP10P067GH、AP10P067HR、IRF1010E、STP80NF03L、FDP80N03S等。这些替代型号在不同的应用场景中可以提供相似或更优的性能，用户可根据具体需求选择合适的替代型号。
