类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.014Ω
　　栅极电荷（Qg）：160nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

IXYN100N65B3D1具有多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的导通电阻非常低，仅为0.014Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率。此外，低Rds(on)还有助于减少热量产生，使散热设计更为简单。
　　其次，该MOSFET具有快速的开关速度，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）为160nC，使得在高频率下也能实现较低的开关损耗。这种特性对于提高DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器的效率尤为重要。
　　该器件还具有较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作条件下长期运行。其封装采用TO-247标准封装，便于安装和散热，并且能够承受较高的工作温度（最高可达150°C），从而提高了器件的可靠性和使用寿命。
　　此外，IXYN100N65B3D1具备良好的热管理和短路耐受能力，使其在高负载和突发电流条件下仍能保持稳定运行。这些特性使得该MOSFET非常适合用于需要高可靠性和高性能的工业和电源管理系统。

IXYN100N65B3D1广泛应用于多种高功率电子系统中。例如，在工业自动化和电机控制领域，它可用于设计高效的电机驱动器和变频器。在电源管理系统中，该MOSFET可用于构建高效的DC-DC转换器、AC-DC整流器和不间断电源（UPS）系统。此外，在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，IXYN100N65B3D1也发挥着重要作用，帮助实现高效的能量转换和管理。

IXYN100N65C4D1, IXYS650N120A3