型号：AP04N70BF-H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：700 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：4 A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：16 A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.0 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：980 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：180 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　最大功耗（PD）：75 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220F

AP04N70BF-H采用了AOS成熟的超级结（Super Junction）技术架构，这一技术通过在P型和N型外延层之间构建交替排列的柱状结构，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的乘积（RDS(on) × Qg），从而实现了在保持高击穿电压的同时大幅优化导通损耗和开关损耗。这种结构特别适用于高频率、高效率的开关电源设计，能够有效提升电源系统的整体能效等级。该器件的RDS(on)仅为2.0Ω，在同类700V MOSFET中处于领先水平，意味着在相同工作电流下产生的I2R损耗更低，有助于减少散热需求并提高功率密度。
　　此外，AP04N70BF-H具备出色的栅极电荷特性，总栅极电荷Qg低至50nC左右（典型值），这使得驱动电路所需的驱动功率更小，驱动芯片选择更加灵活，尤其适合搭配低成本PWM控制器使用。其输入电容Ciss约为980pF，输出电容Coss为180pF，在高频工作时表现出良好的动态响应能力。同时，该MOSFET集成了一个快速恢复体二极管，反向恢复时间trr典型值为55ns，远优于传统MOSFET的体二极管表现，有效抑制了反向恢复过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统在重载或瞬态工况下的稳定性。
　　从可靠性角度来看，AP04N70BF-H通过了严格的质量认证，包括高温高压栅极偏置测试（H3TRB）、高温反向偏置测试（HTRB）和高温栅极循环测试等，确保其在长期运行中的稳定性。器件支持-55°C至+150°C的工作结温范围，具备良好的热稳定性，且封装采用环保材料，符合RoHS和无卤素要求。TO-220F封装提供了优良的散热路径，便于安装在散热片上，适用于需要高功率耗散的应用场景。此外，该器件还具备较强的雪崩能量承受能力，能够在意外过压或负载突变情况下维持正常工作，避免因瞬态应力导致器件失效。这些综合特性使其成为工业电源、通信电源、消费类电子适配器及LED驱动电源中的理想选择。

AP04N70BF-H主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压隔离与高效能量转换的场合。典型应用包括：通用交流-直流（AC-DC）离线式开关电源，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器、显示器电源模块等消费电子产品；LED恒流驱动电源，特别是在高亮度LED照明系统中，用于反激式或单级PFC拓扑结构，以实现高效率和高功率因数；工业电源模块，如PLC电源、小型UPS不间断电源、工业控制设备供电单元等，其高耐压和稳定性能保障了工业环境下的可靠运行；光伏微型逆变器中的DC-DC升压级或辅助电源部分，利用其700V耐压优势适应太阳能板输出波动；此外，也常用于家电类产品中的电源板，如空调、洗衣机、微波炉的内部控制电源设计。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，AP04N70BF-H还可用于LLC谐振变换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等先进拓扑结构中，助力实现更高频率、更小体积的电源设计方案。在通信基础设施领域，该器件也被用于基站辅助电源或光模块供电模块中，满足对长期稳定性和能效的严苛要求。总体而言，AP04N70BF-H凭借其700V高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，广泛服务于绿色能源、智能家电、消费电子和工业自动化等多个领域。

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　　 "AOZ7040NQI"
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