时间：2025/12/24 16:58:08
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AP0403GM-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于多种功率应用，包括电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等。AP0403GM-HF 采用 TDFN 封装，尺寸小巧，适合对空间要求较高的电子设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：10A
导通电阻 Rds(on)：3.9mΩ @ Vgs=10V, 4.5mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散 PD：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TDFN 3.3x3.3mm
AP0403GM-HF 功率 MOSFET 具有出色的导通性能和低导通损耗，其低 Rds(on) 特性使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗并提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，实现了更小的芯片尺寸和更低的导通电阻。此外，其高耐压能力（Vds=30V）使其适用于多种中低压功率应用。
AP0403GM-HF 的封装形式为 TDFN，尺寸紧凑，散热性能良好，适用于高密度 PCB 布局。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（-55°C ~ 150°C）。其栅极驱动电压兼容性强，可在 4.5V 至 10V 的范围内有效工作，便于与多种驱动电路配合使用。
此外，该 MOSFET 还具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器等。其优异的性能使其成为电源管理、负载开关、电池管理系统、电机控制和工业自动化等领域的理想选择。
AP0403GM-HF 广泛应用于各类功率电子设备中，适用于电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、工业控制设备以及消费类电子产品。由于其低导通电阻和高效率，该器件特别适用于需要高效能和紧凑设计的便携式设备和电源转换系统。
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"AP0403GHF",
"AP0403GM",
"AP0403GJ-HF",
"AP0403GJ",
"AO4403"
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