时间：2025/8/24 8:00:03
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FDS6555M 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的双 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的工艺技术制造，适用于高性能功率管理应用。该器件封装在紧凑的 SO-8 表面贴装封装中，具有良好的热性能和电气性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。FDS6555M 提供了高效率和低导通电阻，能够在高频率下工作，从而提高了整体系统效率。
类型：MOSFET（N 沟道）
封装：SO-8
漏极电流（Id）：4.1A（最大值）
漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
漏极-源极电容（Coss）：520pF（典型值）
FDS6555M 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件具有较高的电流承载能力，使其适合用于高负载条件下的应用。由于其采用 SO-8 封装，因此具有良好的热管理性能，可以在有限的空间内实现高效的功率传输。FDS6555M 还具有快速开关特性，使其能够在高频应用中表现出色。此外，它的工作温度范围较宽，适应性强，可在各种环境条件下稳定工作。该器件还具有较高的耐用性和可靠性，适合工业级应用需求。
FDS6555M 被广泛应用于各种电力电子设备中，例如便携式电子设备中的 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。由于其高效率和紧凑的设计，它也是电源管理和节能设计的理想选择。此外，该 MOSFET 也可用于汽车电子系统、工业自动化设备以及通信设备中的电源管理模块。
Si9410BDY、IRLML6401、FDV304P、AO4406、FDS6680、FDS6679B、FDS6675
