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AONS66917T 发布时间 时间:2025/5/22 0:27:43 查看 阅读:4

AONS66917T 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。AONS66917T 通常用于需要高效功率转换的应用场景中,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为 LFPAK88-8,适合表面贴装技术 (SMT),从而节省空间并提高散热效率。
  这款 MOSFET 的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下能够显著降低传导损耗,提升整体系统效率。此外,AONS66917T 还具备较高的雪崩击穿能力,能够在异常情况下提供额外的保护。

参数

型号:AONS66917T
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:LFPAK88-8
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 和 Id=71A 时)
  Id(连续漏电流):71A
  Vgs(栅源电压):±20V
  功耗:25W(最大值,在 Ta=25°C 时)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:表面贴装
  逻辑电平触发:支持

特性

AONS66917T 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))使得其非常适合用于高效的功率转换应用,减少能量损失。
  2. 高额定电流(71A)使其能够承受较大的负载需求。
  3. 小型化封装(LFPAK88-8)节省了电路板的空间,并且提高了散热性能。
  4. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境下的应用。
  5. 高速开关性能减少了开关损耗,进一步提升了效率。
  6. 具备良好的抗 ESD 能力和雪崩击穿能力,增强了器件的可靠性。
  这些特点使得 AONS66917T 成为众多功率电子应用中的理想选择,特别是在要求高效率和小尺寸的设计中。

应用

AONS66917T 广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC 转换器:作为主功率开关或同步整流器,用于提高效率。
  2. 负载开关:在便携式设备中用作电源管理元件。
  3. 电机驱动:用于控制小型直流电机或无刷电机。
  4. 电池管理系统:实现对电池充放电过程的精确控制。
  5. 可穿戴设备和物联网设备:由于其低导通电阻和小型封装,特别适合用于这些对空间和效率要求较高的应用。
  6. 工业自动化:用于各种工业控制和驱动应用。
  总之,AONS66917T 凭借其卓越的性能,成为许多现代电子设备中不可或缺的关键组件。

替代型号

AONS66916T, AONS66918T

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