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S21ME8Y 发布时间 时间:2025/8/28 21:25:27 查看 阅读:25

S21ME8Y 是一种电子元器件,常用于电源管理或信号控制相关的应用。这类器件通常具备高性能和稳定性,适合在多种电子设备中使用。

参数

类型:MOSFET
  封装类型:表面贴装
  最大漏极电流:8A
  最大漏源电压:20V
  导通电阻:21mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  功率耗散:3W
  栅极电压范围:±12V

特性

S21ME8Y 是一款N沟道MOSFET,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率的电源转换系统。其表面贴装封装设计使其非常适合在紧凑型电路板中使用。
  这款器件的低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。同时,它具备较高的最大漏极电流和较低的开关损耗,这使其在高频开关应用中表现出色。
  此外,S21ME8Y 具有良好的热稳定性和过载保护能力,能够在较为严苛的工作环境下保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围也使其适用于工业级和汽车电子应用。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至12V之间,因此可以兼容多种驱动电路设计。其封装形式也支持自动化焊接工艺,提高了生产效率和可靠性。

应用

S21ME8Y 常用于以下领域:
  1. 电源管理系统,如DC-DC转换器和电池充电电路
  2. 电机控制和驱动电路
  3. 负载开关和电源开关应用
  4. 汽车电子系统,如车载充电器和电动工具
  5. 工业自动化设备和电源供应器

替代型号

Si2302DS, AO4406A, FDS6680, IRF7404, NDS355AN

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S21ME8Y参数

  • 标准包装50
  • 类别隔离器
  • 家庭光隔离器 - 三端双向可控硅,SCR输出
  • 系列-
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 通道数1
  • 电压 - 断路800V
  • 输出类型交流过零三端双向可控硅开关
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)3mA
  • 电流 - 保持 (Ih)100µA
  • 电流 - DC 正向(If)15mA
  • 电流 - 输出 / 通道100mA
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳6-DIP(0.300",7.62mm),5 引线
  • 供应商设备封装6-DIP
  • 包装管件
  • 其它名称425-1289-5