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AONS62814T 发布时间 时间:2025/6/3 21:19:30 查看 阅读:7

AONS62814T是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SuperSO8封装,适用于需要高效功率开关的应用场景。
  AONS62814T以其低导通电阻和快速开关特性著称,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。其优化的栅极电荷设计能够显著降低开关损耗,从而提升系统效率。

参数

型号:AONS62814T
  类型:N沟道MOSFET
  封装:SuperSO8
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):75A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):48nC
  总电容(Ciss):1620pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

AONS62814T具有非常低的导通电阻,能够在高电流应用中减少功耗并提升效率。
  其优化的栅极驱动设计可以实现更快的开关速度,从而减少开关损耗。
  该器件具备较高的雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  AONS62814T支持宽泛的工作温度范围,适合工业和汽车级别的应用需求。
  此外,SuperSO8封装提供出色的散热性能和电气连接可靠性。

应用

AONS62814T适用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电池保护电路中的负载开关。
  3. 汽车电子系统中的功率分配开关。
  4. 工业设备中的电机驱动和电源管理。
  5. 通信设备中的高效功率转换模块。
  由于其优异的性能和可靠性,该器件非常适合要求高性能和高效率的应用场合。

替代型号

AONP62814T
  AOSS62814T

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AONS62814T参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥9.85819卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4940 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)8.8W(Ta),258W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线