AONS62814T是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SuperSO8封装,适用于需要高效功率开关的应用场景。
AONS62814T以其低导通电阻和快速开关特性著称,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。其优化的栅极电荷设计能够显著降低开关损耗,从而提升系统效率。
型号:AONS62814T
类型:N沟道MOSFET
封装:SuperSO8
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):75A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):48nC
总电容(Ciss):1620pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
AONS62814T具有非常低的导通电阻,能够在高电流应用中减少功耗并提升效率。
其优化的栅极驱动设计可以实现更快的开关速度,从而减少开关损耗。
该器件具备较高的雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣环境下的可靠运行。
AONS62814T支持宽泛的工作温度范围,适合工业和汽车级别的应用需求。
此外,SuperSO8封装提供出色的散热性能和电气连接可靠性。
AONS62814T适用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于:
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电池保护电路中的负载开关。
3. 汽车电子系统中的功率分配开关。
4. 工业设备中的电机驱动和电源管理。
5. 通信设备中的高效功率转换模块。
由于其优异的性能和可靠性,该器件非常适合要求高性能和高效率的应用场合。
AONP62814T
AOSS62814T