LETQ9WM 时间：2025/12/28 7:39:01 阅读：21

LETQ9WM 是一款由 Littelfuse 公司生产的表面贴装瞬态抑制二极管（TVS 二极管）阵列，专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件（如静电放电 ESD、电快速瞬变脉冲群 EFT 和雷击感应浪涌）的影响而设计。该器件采用紧凑的 SOD-523 封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板布局。LETQ9WM 属于双向 TVS 二极管，意味着它能够在正负两个方向上对过压事件进行钳位，从而为差分信号线或单端信号线提供对称保护。该器件具有低工作电压、快速响应时间和低漏电流等优点，是现代通信接口、消费类电子产品和工业控制系统中理想的 ESD 保护解决方案。其主要目标应用包括 USB 接口、HDMI 端口、音频线路、传感器接口以及各种低电压数据总线。LETQ9WM 的设计符合 IEC61000-4-2（ESD 抗扰度标准）和 IEC61000-4-5（浪涌抗扰度标准）等国际电磁兼容性（EMC）规范，确保在严苛的电磁环境中仍能可靠运行。

参数

类型：双向TVS二极管
　　封装：SOD-523
　　通道数：1
　　击穿电压（V_BR）：10V（最小值）
　　反向截止电压（V_RWM）：9V
　　钳位电压（V_C）：15.8V（典型值，Ipp = 1A）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1.7A（最大值）
　　峰值脉冲功率（Ppp）：26.8W（8/20μs波形）
　　漏电流（I_R）：小于1μA（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LETQ9WM 的核心特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达 ±30kV 的接触放电事件（依据 IEC61000-4-2 Level 4 标准），有效防止 ESD 脉冲损坏下游集成电路。其低钳位电压特性确保在发生瞬态过压时，被保护线路的实际电压不会上升至危险水平，从而保障 CMOS 器件、微控制器和接口芯片的安全。此外，该器件具备极低的结电容（通常低于 1pF），这一特点使其非常适合用于高速数据传输线路，例如 USB 2.0、HDMI 和 RF 信号路径，因为它几乎不会引入信号失真或衰减，保证了信号完整性。双向导通结构允许其在交流或双极性信号线上使用，无需考虑极性连接问题，简化了电路设计与布局。
　　另一个关键优势是其小型化封装 SOD-523，在提供强大保护能力的同时仅占用极小的 PCB 面积（约 1.6mm × 1.2mm），非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他追求轻薄化的终端产品。该封装还具有良好的热性能和机械稳定性，能够承受回流焊工艺，并在振动和温度循环条件下保持长期可靠性。LETQ9WM 的反向工作电压为 9V，适合保护工作电压在 5V 至 9V 范围内的系统节点，例如某些电源监控线路、电池管理信号线或中等电压逻辑接口。其高达 150°C 的最高工作温度也使其可用于高温工业环境或靠近发热元件的区域。整体而言，LETQ9WM 在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种场景的高效 ESD 保护器件。

应用

LETQ9WM 广泛应用于需要高等级 ESD 保护的各种电子系统中，尤其适用于便携式消费类电子产品中的高速接口保护。例如，在智能手机和平板电脑中，它可以用于保护耳机插孔、麦克风输入、按键开关和辅助传感器线路免受人体静电放电的影响。在工业控制领域，该器件可用于保护 PLC 模块上的数字 I/O 口、现场总线通信端口以及人机界面（HMI）设备中的按钮和旋钮接口。此外，它也常见于家用电器中的触摸控制面板、智能照明系统的通信链路以及医疗设备中的低速数据采集通道。由于其低电容和快速响应特性，LETQ9WM 特别适合用于保护模拟音频信号路径，防止咔嗒声和爆音干扰，同时不影响音质。在汽车电子中，尽管不是 AEC-Q101 认证器件，但在非动力总成的车载信息娱乐系统附属接口中也有潜在应用。总之，任何存在 ESD 风险且工作电压接近 9V 的单线或差分线均可考虑采用 LETQ9WM 进行保护。