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AONS38203 发布时间 时间:2025/5/7 9:39:02 查看 阅读:5

AONS38203 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高效率的特性,适用于广泛的功率管理应用。AONS38203 主要用于开关电源、DC/DC 转换器、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  其封装形式为 LFPAK88,这是一种节省空间且具备优异散热性能的表面贴装封装类型,能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:35nC(典型值)
  总电容:1980pF(输入电容)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:LFPAK88

特性

AONS38203 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以减少功率损耗并提高整体效率。
  2. 高电流承载能力,允许在较高负载条件下稳定运行。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,特别适合高频应用环境。
  4. 优秀的热性能,有助于提升器件的可靠性和寿命。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 支持较宽的工作温度范围,确保在极端条件下仍能正常运作。

应用

AONS38203 可应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC/DC 转换器中的功率级 MOSFET。
  3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
  4. 各种负载开关应用场景,例如笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源管理。
  5. 工业自动化和汽车电子系统的功率控制模块。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率转换组件。

替代型号

AONP38203, IRF7743, FDP5512

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AONS38203参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥7.99513卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)85A(Ta),311A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)580 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8350 pF @ 12.5 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线