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AONS1R1A70 发布时间 时间:2025/5/12 13:28:19 查看 阅读:4

AONS1R1A70是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha & Omega Semiconductor公司生产。该器件属于沟道型MOSFET,主要应用于需要低导通电阻和高效率的场景。它采用了先进的制造工艺,确保了出色的电气性能和可靠性。
  AONS1R1A70通常被用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。其优异的性能使得它成为现代电子设备设计中的理想选择。

参数

型号:AONS1R1A70
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:SOT-23
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):14mΩ
  ID(连续漏极电流):2.8A
  Qg(栅极电荷):6nC
  VGS(th)(阈值电压):1.5V
  fT(截止频率):290MHz

特性

AONS1R1A70具有非常低的导通电阻(RDS(on)),这使得它在大电流应用中能够保持较低的功耗和发热。此外,该器件还具备较高的开关速度,从而减少开关损耗并提升系统效率。
  其小型化的SOT-23封装使其非常适合于空间受限的设计环境,同时也能满足表面贴装技术的需求。
  由于其良好的电气特性和稳定性,AONS1R1A70能够在各种恶劣的工作条件下正常运行,包括高温和高频切换环境。

应用

AONS1R1A70广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信设施中。
  常见的应用场景包括:
  1. 移动设备中的电池充电管理电路;
  2. 笔记本电脑及平板电脑内的电源管理系统;
  3. LED驱动器中的开关元件;
  4. 工业自动化领域的电机控制模块;
  5. 高效DC-DC转换器的核心组件;
  6. 各种类型的负载开关设计。

替代型号

AONR1R1A70, AONR1R2A70

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