时间：2025/9/14 12:26:09
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PSMN5R0-100PS,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。PSMN5R0-100PS,127 通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：50A（在Tc=25℃时）
导通电阻(RDS(on))：5.0mΩ（最大值，VGS=10V）
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55℃至175℃
功率耗散(PD)：120W
栅极电荷(Qg)：90nC（典型值）
输入电容(Ciss)：2300pF（典型值）
PSMN5R0-100PS,127 采用先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流条件下实现最小的功率损耗。该器件的封装设计优化了热性能，能够有效散热，从而在高负载条件下保持稳定运行。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，适用于需要高功率密度的应用场景。其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，降低开关损耗，从而提升整体系统效率。
该器件的工作温度范围广泛（-55℃至175℃），适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。其封装为PowerSO-10，符合RoHS标准，并具备良好的焊接性能和机械稳定性。
PSMN5R0-100PS,127 的设计使其在高频开关应用中表现出色，如同步整流、DC-DC转换器以及电机驱动电路中，均能提供可靠的性能支持。
PSMN5R0-100PS,127 主要应用于高效的电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路和电池管理系统。它在汽车电子、工业自动化、通信设备以及消费类电子产品中均有广泛应用。
在DC-DC转换器中，该MOSFET用于提高转换效率，特别是在高电流输出条件下，其低导通电阻可显著降低功率损耗。
在电机控制应用中，PSMN5R0-100PS,127 可用于H桥驱动电路，提供高效的电机驱动能力。
此外，该器件也适用于高功率LED照明系统、UPS不间断电源以及光伏逆变器等应用领域。
PSMN4R8-100PS,127; PSMN6R0-100PS,127; IPPB90N10S4-03
