时间：2025/6/16 12:07:11
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AONR36328 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) 生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，旨在提供高效率和低导通电阻性能，适用于各种功率转换和负载开关应用。
此器件具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，适合用于需要高效能、低功耗的应用场景。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装封装，如 SOIC 或 DFN 封装，从而节省电路板空间并提高热性能。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：19A
导通电阻(Rds(on))：5.4mΩ
栅极电荷(Qg)：7nC
总电容(Ciss)：1050pF
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN8
AONR36328 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 逻辑电平驱动兼容性，允许直接与微控制器或其他逻辑电路接口。
4. 强大的过流保护功能，提高了器件的可靠性和耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保和可持续性。
6. 紧凑的封装设计，适合空间受限的应用场合。
AONR36328 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的电机控制。
5. LED 照明驱动电路。
6. 消费类电子产品的电源管理模块。
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