容量：128K x 8
　　组织结构：128K 字 × 8 位
　　访问时间：55ns
　　电源电压：3.3V（典型值）
　　封装类型：TQFP
　　引脚数量：52
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　最大工作频率：约 18MHz（根据访问时间计算）
　　读写操作：支持异步读写
　　功耗：低功耗设计（具体数值需参考数据手册）

GM76C8128CLLT-55 是一款高性能的异步 SRAM 芯片，具备高速访问能力和低功耗特性。其访问时间为 55ns，支持高达约 18MHz 的工作频率，适用于需要快速数据存取的应用。该芯片采用 CMOS 工艺制造，具有较低的静态电流，能够在待机状态下显著降低功耗。此外，该器件支持异步读写操作，无需外部时钟控制，简化了系统设计。
　　其 128K x 8 的组织结构使其适合用作高速缓存或临时数据存储器。TQFP 封装形式不仅节省空间，而且提供了良好的散热性能，确保在高温环境下也能稳定工作。工业级温度范围使其适用于各种恶劣环境下的电子设备。
　　该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于对数据完整性要求较高的系统。其并行接口设计使得与微处理器、DSP 或其他控制器的连接更加简便，减少了外围电路的复杂度。

GM76C8128CLLT-55 广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备、测试仪器以及嵌入式系统中。其高速存取能力使其特别适合用作缓存、帧缓冲器或临时数据存储器。例如，在路由器或交换机中，该芯片可用于存储转发数据包；在工业控制系统中，可用于高速数据采集和缓存处理；在测试设备中，可用于高速信号采集与分析。
　　此外，该芯片也可用于图像处理、音频处理、嵌入式系统中的程序存储和数据缓存等场景。其低功耗特性使其在便携式设备或需要长时间运行的系统中也具有良好的适用性。

ISSI 的 IS61LV10248ALLB4-55、Cypress 的 CY62148EALL-55、Alliance Memory 的 AS6C62128A-55SIN、Renesas 的 IDT71V128SA55PI