最大漏源电压(VDS)：600V
　　最大漏极电流(ID)：20A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：0.25Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功率耗散(PD)：200W
　　封装类型：TO-247

IXTH20N60A具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达600V，适用于高电压应用。此外，IXTH20N60A的开关速度快，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下运行。TO-247封装提供了优良的散热性能，确保器件在高负载情况下仍能保持较低的温度。此外，IXTH20N60A具备较高的抗短路能力，能够在异常工作条件下提供更好的保护。
　　在驱动方面，IXTH20N60A的栅极驱动电压范围宽泛，可在+10V至+20V之间工作，使得其与多种驱动电路兼容。同时，其较低的栅极电荷（Qg）减少了驱动损耗，有助于提高整体系统的能效。

IXTH20N60A常用于各种高功率和高频电源应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合。此外，IXTH20N60A也广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电设备等新能源相关领域。

STP20N60FI, FQA20N60C, FDPF20N60