SKR135F12 时间：2025/8/23 17:08:32 阅读：6

SKR135F12 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率半导体器件，属于IGBT（绝缘栅双极晶体管）系列。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT（双极晶体管）的低导通压降的优点，广泛用于高电压和高电流的应用场合。SKR135F12 专为高效能、高可靠性的工业应用而设计，适用于电机控制、电源转换和逆变器等场景。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　最大集电极电流(Ic)：135A
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　封装类型：模块式封装
　　短路耐受能力：具备短路保护功能
　　热阻：Rth(j-c) = 0.27°C/W

特性

SKR135F12 的主要特性包括高电流容量、低导通压降和快速开关特性。它采用了先进的沟槽栅和场截止技术，以降低导通损耗和开关损耗。此外，该器件具备出色的短路耐受能力，可以在恶劣的工作条件下保持稳定运行。模块的封装设计优化了热管理和机械强度，提高了整体的可靠性和寿命。此外，SKR135F12 还集成了反向并联二极管，能够实现高效的能量回馈和续流功能。
　　该器件的高可靠性和耐用性使其在高要求的应用中表现出色。例如，在电机控制应用中，它可以提供平稳的启动和停止功能，减少对电机的冲击。在电源转换系统中，SKR135F12 的高效能特性可以显著提高系统的整体能效。此外，其模块化设计便于安装和维护，降低了系统的复杂性和成本。
　　SKR135F12 还具备良好的电磁兼容性（EMC），能够在高噪声环境中稳定工作。其设计符合国际标准，如IEC和UL认证，确保了在全球范围内的适用性和安全性。此外，该器件的制造过程遵循严格的环保标准，符合RoHS指令，不含对环境有害的物质。