您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AONR34332C

AONR34332C 发布时间 时间:2025/5/9 9:31:32 查看 阅读:24

AONR34332C是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。它非常适合用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及其他需要高效功率开关的应用场景。
  该MOSFET的封装形式为使其在小型化设计中非常实用,同时保持了良好的电气性能和散热能力。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻(典型值):65mΩ
  栅极-源极电压:±20V
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

AONR34332C的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速的开关特性,适用于高频应用环境。
  3. 小尺寸SOT-23-3封装,适合空间受限的设计。
  4. 高可靠性,经过严格的质量控制测试,确保在各种条件下的稳定运行。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种工业及消费类应用场景。

应用

AONR34332C广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
  2. 各种DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
  3. 电池管理系统中的保护和切换功能。
  4. 小型电机驱动和控制电路。
  5. 各类消费类电子产品中的电源管理模块。
  其紧凑的封装和高效的性能使其成为许多便携式和空间敏感型应用的理想选择。

替代型号

AON34332L, FDS8947, SI2301DS

AONR34332C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AONR34332C参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥3.94999卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)105 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4175 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),83.3W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN