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AON7430 发布时间 时间:2025/5/10 9:24:50 查看 阅读:10

AON7430是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于要求高效能和低功耗的应用场景。AON7430通常被用作同步整流器、负载开关、DC-DC转换器以及其他功率管理应用中的关键元件。
  AON7430封装形式为SOT-23-3L,这种小型化封装有助于节省电路板空间,同时保持良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:5.9A
  导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:1.6nC(典型值)
  开关速度:快速
  工作温度150°C

特性

AON7430的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关应用,减少开关损耗。
  3. 小尺寸SOT-23-3L封装,非常适合空间受限的设计。
  4. 高可靠性设计,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
  5. 宽广的工作温度范围,使其能够适应各种工业及消费类应用场景。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

AON7430广泛应用于以下领域:
  1. 消费电子设备中的负载开关和保护电路。
  2. 移动设备和便携式设备中的电源管理。
  3. 同步整流器设计,特别是在反激式和降压式转换器中。
  4. DC-DC转换器,尤其是需要高效率和小体积解决方案的场合。
  5. 多种电池供电设备中的功率控制。
  6. 工业自动化和通信设备中的功率级切换。

替代型号

AON7431, AON7432

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AON7430参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds910pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装带卷 (TR)